，它是由PNPN四层半导体组成的元件，有三个电极，阳极A，阴极K和约束极G。可控硅正在电途中能够已毕交换电的无触点约束，以小电流规模大电流，况且不象继电器那样约束时有火花开展，况且行径速、寿命长、实正在性好。正在调速、调光、调压、调温以及其谁各样掌握电途中都有它的身影。可控硅分为单向的和双向的，记号也不合。单向可控硅有三个PN结，由最外层的P极和N极引出两个电极，差异称为阳极和阴极，由中心的P极引出一个约束极。单向可控硅有其非常的性格：当阳极接反向电压，只怕阳极接正向电压但约束极不加电压时，它都不导通，而阳极和约束极一起接正向电压时，它就会变成导通状 态。一朝导通，约束电压便落空了对它的规模熏陶，不管有没有约束电压，也不管掌握电压的极性若何，将从来处于导通形状。要念合断，唯有把阳极电压降下到某 一临界值或许反向。双向可控硅的引脚众半是按T1、T2、G的治安从左至右罗列（电极引脚向下，面对有字符的一面时）。加正在约束极G上的触发脉冲的大小或技术改动时，就能调集其导通电流的大小。与单向可控硅的差异是，双向可控硅G极上触发脉冲的极性订正时，其导通目标就跟着极性的转嫁而更改，从 而能够约束相易电负载。而单向可控硅经触发后只可从阳极向阴极丹方教导通，所以可控硅有单双向之分。电子兴办中常用可控硅，单向的有MCR－100等，双向的有TLC336等。能够观察:

　　可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层机合的大功率半导体器材。本性上，可控硅的功用不然则整流，它还能够用作无触点开合以迅疾接通或切断电途，结束将直流电变成相易电的逆变，将一种频率的交换电形成另一种频率的相易电，等等。可控硅和其它半导体器材不异，其有体积小、效益高、浸静性好、管事几乎等好处。它的出现，使半导体身手从弱电 周围进入了强电边界，成为财物、农业、交通运输、军事科研以致交易、民用电器等方面争相选拔的元件。1. 可控硅的陷坑和性质 可控硅从外形上分首要有螺旋式、古板式骚然底式三种。螺旋式的组织较众。可控硅有三个电极——阳极（A）阴极（C）和约束极（G）。它有管芯是P 型导体和N 型导体交迭构成的四层结构，共有三个PN 结。可控硅和唯有一个PN 结的硅整流二非常管正在机闭上天渊之别。可控硅的四层构制和规模极的引用，为其暴露“以小控大”的卓异约束实质奠定了根蒂。正在操控可控硅时，只需正在掌握极加上很小的电流或电压，就能约束很大的阳极电流或电压。此刻已能兴办出电流容量达几百安培以致上千安培的可控硅元件。日常把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？最早，他能够把从阴极前进数的榜首、二、三层看面是一只NPN 类型晶体管，而二、三四层构成另一只PNP 型晶体管。此中第二、第三层为两管交迭共用。当正在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea ，又正在约束极G和阴极C之间（太甚BG1的基一射间）输入一个正的触发暗记，BG1将映现基极电流Ib1，经扩大，BG1将有一个浮躁了β1倍的集电极电流IC1。途理BG1集电极与BG2基极连续，IC1又是BG2的基极电流Ib2 。BG2又把比Ib2（Ib1）扩大了β2 的集电极电流IC2送回BG1的基极虚浮。这样轮回虚浮，直到BG1、BG2一切导通。本性这曾经过是“一触即发”的流程，对可控硅来道，触发暗记参预约束极，可控硅随即导通。导通的岁月急迫抉择于可控硅的功能。可控硅仍是触发导透后，由于轮回反响的出处，流入BG1基极的电流已不不过初始的Ib1，而是进程BG1、BG2虚浮后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流宏大于Ib1，足以坚持BG1的不断导通。此刻触发暗号尽量流失，可控硅仍支撑导通景象只消断开电源Ea 或下降Ea ，使BG1、BG2中的集电极电流小于构筑导通的最小值时，可控硅方可合断。当然，假若Ea 极性反接，BG1、BG2由于遭到反向电压习染将处于中止姿态。这时，只管输入触发暗记，可控硅也不可处事。反过来，Ea 接成正向，而牵动发暗记是负的，可控硅也不可导通。其他，要是不加触发旗帜，而正朝阳极电压大到横跨必定值时，可控硅也会导通，但已归于非往常管事情况了。可控硅这种经历触发旗帜（小的触发电流）来约束导通（可控硅中进程大电流）的可控性质，恰是它差异于大凡硅整流二极管的急急特质。 2. 可控硅的急急参数 可控硅的紧迫参数有： (1) 额外通态平衡电流IT正在必定央浼下，阳极---阴极间能够联接经过的50赫兹正弦半波电流的平衡值。 (2) 正向阻断峰值电压VPF正在约束极开途未加触发信号，阳极正向电压还未杰出导能电压时，无妨重复加正在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅继承的正向电压峰值，不可横跨手册给出的这个参数值。 (3) 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向合断姿态时，能够一再加正在可控硅两端的反向峰值电压。驾驭时，不可横跨手册给出的这个参数值。 (4) 约束极触发电流Ig1、触发电压VGT正在正派的景象温度下，阳极——阴极间加有必定电压时，可控硅从合断形状转为导通景象所需要的最小约束极电流和电压。 (5) 修正电流IH正在端方温度下，掌握极断途，支撑可控硅导通所必须的最小阳极正向电流。频年来，许众新式可控硅元件接踵面世，如适于高频专揽的速疾可控硅，能够用正或负的触发暗号约束两个方指示通的双向可控硅，无妨用正触发旗帜使其导通，用负触发信号使其闭断的可控硅等等。