在5月16-17日于比利时安特卫普实施的ITF World 2023举动中，英特尔技巧修造总经理Ann Kelleher宣告了在功夫周围的环节展开、讲线图，重心之一便是宣告“”，这是GAA FET的最新状况，体积更小，有望进一步接连摩尔定律，在1nm以下芯片中完成更高的晶体管密度。

　　依据举动现场的幻灯片，在堆迭式CFET之前，再有英特尔仍然公告的RibbonFET本事。此前英特尔曾宣告“Intel 20A”工艺节点，意味着芯片制程来到2nm节点，对应的岁月便是RibbonFET。这种场效应晶体管运用GAA全环绕栅极妄图，不妨遍及晶体管的密度和成效，在单位面积内不妨堆迭4个纳米片。

　　抵挡下一代CFET晶体管，英特尔还展示了多种别离的方案预备，这种架构的集成密度进一步拔擢，将n型和p型MOS元件堆迭在沿途，能够堆迭8个纳米片，比RibbonFET多一倍。当今，英特尔正在商讨两种标准的CFET：单片式（monolithic）和程序式（sequential）。

　　值得防卫的是，英特尔的途径图、CFET架构并不是独立提出的，而是与IMEC组织耐久合营的结束。IMEC全称为“Interuniversity Microelectronics Centre”微电子计议焦点，是与台积电、ASML齐名的芯片职业首要组织，接连了英特尔、台积电、三星与ASML、运用材料公司等，以及Cadence和Synopsys如此的半导体方案软件（EDA）公司。这家组织坚持了半导体规模真实完备吃紧公司，极力于进行悉数人日半导体时间的商洽。下图来自IMEC，图中右侧四个结构，均为CFET的变种，但是英特尔本身的CFET架构与IME示贪心有所折柳。

　　依据幻灯片，不要紧总结出英特尔晶体督工艺的演化门讲：Planar FET平面场效应管、FinFET鳍式场效应管（现时干流）、RibbonFET全环绕栅极场效应管、CFET堆迭式场效应管。外媒出现，在RibbonFET和CFET之间，不决意是否会有其它宗旨技巧会运用。

　　英特尔现场出现的幻灯片没有泄漏CFET架构的几乎运用时光，然则外媒推测，IMEC的说径年今后，芯片制程不妨来到0.5纳米，揣度该架构能够建立英特尔达到这一方向，在较长一段岁月内接连不停摩尔定律。