加强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟途，在VDS影响下无iD。耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS效果下iD。

　　在一起浓度较低的P型硅上分散两个浓度较高的N型区四肢漏极和源极，半导体外表围住二氧化硅绝缘层并引出一个电极行径栅极。

　　(1)VGS=0时，不论VDS极性怎么，个中总有一个PN结反偏，因而不生计导电沟路。

　　(2)VGS0时，在Sio2介质中闪现一个垂直于半导体概略的电场，消释P区多子空穴而招引少子电子。当VGS抵达必定值时P区外表将变成反型层把两边的N区交流，构成导电沟途。

　　(4)VGS0且VDS增大到确认值后，靠近漏极的沟路被夹断，构成夹断区。

　　(1)N沟道耗尽型：创筑时在栅极绝缘层中掺有很多的正离子，所以要是在VGS=0时，因为正离子的功用，两个N区之间生计导电沟途(如同结型

　　(2)P沟途加强型：VGS=0时，ID=0敞开电压小于零，所以只需当VGS0时管子身手管事。

　　(3)P沟道耗尽型：创造时在栅极绝缘层中掺有多量的负离子，因而假设在VGS=0时，因为负离子的效果，两个P区之间生计导电沟道(类似结型

　　(1)敞开电压VT：在VDS为一固天命值时，能出现ID所需要的最小VGS值。(稳固)

　　(2)夹断电压VP：在VDS为一固定命值时，使ID对应一虚弱电流时的VGS值。(耗尽)

　　(3)饱满漏极电流IDSS：在VGS=0时，管子迸发预夹断时的漏极电流。(耗尽)

　　(4)极间电容：漏源电容CDS约为0.1～1pF，栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1～3pF。

　　在更正天分曲线上，gm是非线在某点上的斜率，也可由iD的剖明式求导得出，单位为S或mS。