【著作】英飞凌荣获2023第三代半导体年度世界领军企业奖和最具重染力碳化硅产品奖

　　【著作】英飞凌62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块荣获2023年度最具沉染力碳化硅产品奖

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　　即日，英飞凌荣获2023第三代半导体年度世界领军企业奖，同期其62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块仰仗其优异的机能和浅显的操作鸿沟，荣获年度大师极光奖最具重染力产品奖。两项大奖再次展示了英飞凌在碳化硅和氮化镓技术界限的变革智力和职业赶过身分。

　　跟着与GaN Systems的成功并购，英飞凌再度成为商场上超出供应全周围功率半导体手工凑关——氮化镓(GaN)，碳化硅(SiC)和硅(Si)的公司，供应高度信得过的GaN e-mode HEMT、碳化硅及硅功率场效应管，和从数瓦到兆瓦的高能效全面掌握策划。本次行为中，英飞凌电源与传感格式事业部墟市总监卢柱强先生在氮化镓论坛带来演途，中心介绍了英飞凌氮化镓的簇新产品聚合、时刻改造、商场定位以及对将来展开的预期。英飞凌零碳财富功率行状部高级商场咨询陈子颖教练在碳化硅论坛发布演道“零碳时刻，碳化硅器材的机缘与挑拨”，强调了英飞凌在碳化硅器材行使领域的优势与潜力。点击此处暴露更多英飞凌氮化镓(GaN)关连消息。

　　2023年上市的62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块选取沟槽栅，大大选拔器材参数、真实性及寿数。2000V的电压等第，可简化1500VDC光伏格式拓扑准备，将死板IGBT器材的三电平安置简化为两电平，使1500VDC光伏方法成果上了新台阶。

　　经由碳化硅加添老练的62mm 封装的产品，满意了快速开关哀求和低花费，高效率的行使，实用于储能方法，电动轿车充电，光伏逆变器，牵引，以及UPS等使用。

　　选择62mm封装的2000 V产品凑集包括3.5 mΩ/300 A和2.6 mΩ/400 A两种类型，又有评价板可供选择。清楚更多消息，请点击此处看望。

　　英飞凌深耕碳化硅与氮化镓界限，不断举办技艺打磨和沉积，一心一意地在第三代半导体鸿沟做出自己的奉献，为举世客户供应更为高效、靠得住的产品捆绑安置。