晶体闸流管简称晶闸管，也称为可控硅整流元件（SCR），是由三个PN构制成的一种大功率半导体器材。正在功用上，晶闸管不只具有单导逛电性，何况还具有比硅整流元件更着伤心的可控性，它唯有导通和闭断两种景遇。

　　晶闸管的甜头很众，比方：以小功率贬抑大功率，功率延伸倍数高达几十万倍；反映极疾，正在微秒级内体会、闭断；无触点工作，无火花、无噪声；效能高，资金低一级。因而，奇特是正在大功率UPS供电系统中，晶闸管正在整流电途、静态旁途开闭、无触点输出开合等电讲中获取广泛的使用。晶闸管的欠缺：静态及音书的过载智慧较差，便利受干涉而误导通。晶闸管从外形上分类要紧有：螺栓形、平板形自正在底形。

　　晶闸管是PNPN四层三端器材，共有三个PN结。了解道理时，约略把它看作是由一个PNP管和一个NPN管所构成，其等效图解如图1（a）所示，图1（b）为晶闸管的电道标帜。

　　晶闸管是四层三端器材，它有J1、J2、J3三个PN结，害怕把它焦点的NP分红两部分，组成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复闭管。

　　当晶闸管承继正朝阳极电压时，为使晶闸管导通，有必要使饱尝反向电压的PN结J2失败阻滞成效。每个晶体管的集电极电流一起就是另一个晶体管的基极电流。所所以两个彼此复合的晶体管电途，当有富饶的门极电流Ig流艳丽，就会变成生硬的正反响，构成两晶体管饱满导通。

　　设PNP管和NPN管的集电极电流分散为IC1和IC2，发射极电流相应为Ia和Ik，电放逐大系数相应为α1＝IC1／Ia和α2＝IC2／Ik，设流过J2结的反相走电流为ICO，晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和走电流的总和：

　　（2）硅PNP管和硅NPN管反映的电放逐大系数α1和α2随其发射极电流的搬运而快速转化。当晶闸管接受正朝阳极电压，而门极未操控电压的景遇下，式（1）中Ig＝0，（α1＋α2）很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈ICO，晶闸管处于正向阻断情状；当晶闸管正在正向门极电压下，从门极G流入电流Ig，由于宽绰大的Ig流经NPN管的发射结，然后遍及夸张系数α2，成长丰无边的集电极电流IC2流过PNP管的发射结，并先进了PNP管的电放逐大系数α1，显现更大的集电极电流IC1流经NPN管的发射结，如此生硬的正反响进程精采举行。

　　当α1和α2随发射极电流实施而使得（α1＋α2）≈1时，式（1）中的分母1－（α1＋α2）≈0，所以遍及了晶闸管的阳极电流Ia。这时，流过晶闸管的电流整体由主回道的电压和回道电阻判别，晶闸管已处于正教导通景遇。晶闸管导明后，式（1）中1－（α1＋α2）≈0，当然此刻门极电流Ig＝0，晶闸管仍能继续本来的阳极电流Ia而不息导通，门极已分开功用。正在晶闸管导通后，倘若不竭地减小电源电压或增大回道电阻，使阳极电流Ia减小到怜惜电流IH以下时，由于α1和α2急迅失落，晶闸管回复到阻断局势。

　　由于晶闸管唯有导通和合断两种工作状况，因而它具有开闭性质，这种赋性供给判定的条目智慧搬动，此条件睹外1。

　　（1）晶闸管接受反朝阳极电压时，不论门极接受何种电压，晶闸管都处于合断状况。

　　（2）晶闸管接受正朝阳极电压时，仅正在门极接受正向电压的状况下晶闸管才导通。

　　（3）晶闸管正在导通状况下，只须有必定的正朝阳极电压，不论门极电压怎么，晶闸管联合导通，即晶闸管导透后，门极失败成心。

　　（4）晶闸管正在导通形状下，当主回道电压（或电流）减小到热心于零时，晶闸管闭断。

　　晶闸管阳极A与阴极K之间的电压与晶闸管阳极电流之间联络称为晶闸管伏安性质，如图2所所示。正向脾气坐落榜首象限，反向性质坐落第三象限。

　　当门极G开讲，阳极加上反向电压时（睹图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。此刻只可流过很小的反向饱满电流，当电压进一步失落到J1结的雪崩击穿电压后，一起J3结也击穿，电流灵动扩大，如图2的性情弧线OR段迎头改变，阻滞处的电压URO称为“反向失利电压”。此后，晶闸管会产生永恒性反向击穿。

　　当门极G开道，阳极A加上正向电压时（睹图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与往往PN结的反向脾气近似，也只可流过很小电流，这叫正向阻断情状，当电压扩张，如图2的脾气弧线OA段发端滞碍，报复处的电压UBO称为“正向堵塞电压”。

　　由于电压先进到J2结的雪崩击穿电压后，J2结产生雪崩倍增效应，正在结区迸发巨额的电子和空穴，电子参加N1区，空穴列入P2区。参加N1区的电子与由P1区源委J1结注入N1区的空穴复闭。相同，进入P2区的空穴与由N2区经历J3结注入P2区的电子复闭，雪崩击穿后，列入N1区的电子与列入P2区的空穴各自不可整体复合掉。如此，正在N1区就有电子堆集，正在P2区就有空穴堆集，下场使P2区的电位先进，N1区的电位低浸，J2结变成正偏，只须电流稍有实施，电压便灵巧颓丧，外现所谓负阻性情，睹图2中的虚线三个结均处于正偏，晶闸管便进入正导逛电状况——通态，此刻，它的性质与闲居的PN结正向赋性相仿，如图2的BC段。

　　正在门极G进步入正向电压时（如图5所示），因J3正偏，P2区的空穴参加N2区，N2区的电子参加P2区，变成触发电流IGT。正在晶闸管的内里正反响效能（如图2）的源泉上，加上IGT的成效，使晶闸管提前导通，导致图2中的伏安性质OA段左移，IGT越大，性质左移越疾。

　　门极开道，一再率为每秒50次，每次接连年光光阴不大于10ms的断态最大脉冲电压，UDRM＝90％UDSM，UDSM为断态不重复峰值电压。UDSM应比UBO小，所留的裕量由坐蓐厂家确定。

　　（2）反向重复峰值电压URRM其定义同UDRM相同，URRM＝90％URSM，URSM为反向不一再峰值电压。

　　（3）额外电压选UDRM和URRM中较小的值算作额外电压，采用时额外电压应为寻常管事峰值电压的2～3倍，应能接受相同映现的过电压。

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