的主电途，可控硅的门极G和阴极K与背负可控硅的安装赓续，组成可控硅的背负电路。

　　可控硅是四层三端器材，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可能把它中心的NP分红两极限，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2

　　当可控硅承当正向阳极电压时，为使可控硅导铜，必需使秉承反向电压的PN结J2丢失谢绝出力。图2中每个晶体管的集电极电流一起便是另一个晶体管的基极电流。因而，两个彼此复关的晶体管电道，当有有余的门机电流Ig流大方，就会形成火热的正反馈，形成两晶体管鼓和导通，晶体管饱满导通。

　　设PNP管和NPN管的集电极电流反映为Ic1和Ic2;发射极电流反应为Ia和Ik;电放逐大系数呼应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相泄电电流为Ic0,

　　硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧转化如图3所示。

　　当可控硅承受正向阳极电压，而门极未受电压的环境下，式(11)中，Ig=0,(a1+a2)很小，故可控硅的阳极电流IaIc0 晶闸合处于正向阻断姿态。当可控硅在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,因为有余大的Ig流经NPN管的发射结，然后下降开端放逐大系数a2,迸发足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并下降了PNP管的电放逐大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。如此火热的正反馈通过灵敏举办。从图3，当a1和a2随发射极电流扩大而(a1+a2)1时，式(11)中的分母1-(a1+a2)0,因而遍及了可控硅的阳极电流Ia.这时，流过可控硅的电流团体由主回谈的电压和回路电阻决意。可控硅已处于正领导通状况。

　　式(11)中，在可控硅导通后，1-(a1+a2)0,假使此刻门极电流Ig=0,可控硅仍能坚持历来的阳极电流Ia而连续导通。可控硅在导通明，门极已失落效果。

　　在可控硅导明后，假使绵绵的减小电源电压或增大回叙电阻，使阳极电流Ia减小到坚持电流IH以下时，因为a1和a1快速跌落，当1-(a1+a2)0时，可控硅康复阻断款式。