半导体巨子英飞凌科技指日公布，公司已成功研宣布全世界首款300毫米（约12英寸）功率氮化镓（GaN）晶圆手工。
与现有的200毫米晶圆比较，300毫米晶圆技能意味着在单个晶圆上或许建立更多的芯片，然后先进了坐蓐功效和周围经济。
这一时间进步不光不妨增加每晶圆的芯片产值，抵达2.3倍，一起也有助于下降出产本钱，使得氮化镓技巧更加经济高效。
氮化镓功率半导体因其在意图、尺度和浸量方面的优势，在财物、轿车、花费电子、策划和通讯使用中得回快速拣选。
据悉，英飞凌将在2024年11月在慕尼黑举行的电子展上闪现其300毫米GaN技巧。
公司如故在奥地利菲拉赫的功率工厂取胜设置了300毫米GaN晶圆，并主旨恪守阛阓需求进一步加添产能。
英飞凌科技股份公司首席实施官Jochen Hanebeck呈现：“这一昭着的乐成是咱们立异力量和全球团队专心业务的终归，旨在呈现所有人动作氮化镓和电源编制更始领导者的职位。这项技能打破将蜕变职业嬉戏规律，使咱们们或许开释氮化镓的整体潜力。”
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